华虹半导体 90nm BCD 工艺实现量产

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IT技术网 6 月 5 日消息 据媒体 JCNnewswire 报道,华虹半导体近日宣布,其 90nm BCD 工艺在华虹无锡 12 英寸生产线已实现规模量产,该工艺具备性能高、核心面积较小等优势。

华虹半导体表示,其 90nm BCD 工艺拥有更佳的电性参数,并且得益于 12 英寸制程的稳定性以及良率优异,为数字电源、数字音频功放等芯片应用提供了更具竞争力的制造方案。

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华虹半导体执行副总裁范恒表示,“智能化硬件种类与应用场景不断增多,对电源管理芯片的需求持续攀升,对电源管理芯片的性能要求也在不断提高。”华虹半导体的 90nm BCD 工艺凭借高性能指标及较小的芯片面积等优质特色,受到众多客户青睐。

IT技术网了解到,BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术是一种单片集成工艺技术,能够在同一芯片上制作 Bipolar、CMOS 和 DMOS 器件,1985 年由意法半导体率先研制成功。随着集成电路工艺的进一步发展,BCD 工艺已经成为 PIC 的主流制造技术。

华虹半导体是全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业,专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等特色工艺平台。

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